Комплексы структурных дефектов и фотоиндуцированные превращения в аморфных полупроводниках

Предложена микроскопическая модель комплексов структурных дефектов типа «оборванных» связей в тетраодрически координированных аморфных и халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены комплексы, состоящие из двух параллельных и антипараллельных «оборванных» связей в различных зарядовых состояниях. Проанализированы адиабатические потенциалы указанных комплексов, которые при определенных условиях могут иметь сложную многоямную структуру. Показано, что поглощение света приводит к обратимой перестройке комплексов, в результате чего образуются или уничтожаются локализованные состояния с переносом заряда.