RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1669–1673 (Mi phts5332)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике

Н. В. Совтус, К. Д. Мынбаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для полупроводниковой системы Ge–Sb–Te цилиндрической конфигурации приближенно решено уравнение теплопроводности, описывающее токовый шнур в полупроводнике. Показано, что при бесконечно больших временах ток в шнуре пропорционален квадрату максимальной температуры в центре шнура и обратно пропорционален величине приложенного электрического поля. Оценен масштаб латерального тока, протекающего перпендикулярно току основного шнура, и установлено, что латеральный ток мал по сравнению с током, протекающим в шнуре, так что возникновение латеральных шнуров, растущих из основного шнура, мало вероятно.

Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект памяти, шнурование тока, латеральный ток.

Поступила в редакцию: 29.05.2019
Исправленный вариант: 08.07.2019
Принята в печать: 10.07.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48624.9176


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:12, 1651–1655

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024