Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне

Более широкие возможности оптимизации конструктивных и электрофизических параметров кристаллов диодов Шоттки, выполненных по планарным технологиям “Меза–подложка” и “Меза–Меза” с анодными выводами в виде воздушного моста с вискером одновременно с использованием более совершенных компактных моделей, позволяют максимально эффективно использовать физические возможности контактов Шоттки при проектировании монолитных интегральных схем по диодным технологиям, повысить их надежность и преодолеть значительное отставание полупроводниковой электроники от оптоэлектроники в терагерцовом частотном диапазоне.