Определение концентрации свободных электронов в компенсированном $n$-InSb по поглощению ультразвука

С помощью исследования поглощения пьезоактивных ультразвуковых волн с частотами 150$-$750 МГц определены концентрации свободных электронов в сильно компенсированных (${K=0.84}$ и 0.89) образцах $n$-InSb. Изучены зависимости концентрации свободных электронов от температуры в области 1.9$-$4.2 K и от внешнего магнитного ноля до 20 кЭ. Зависимость от температуры является активационной; определенная из опыта зависимость энергии активации от магнитного поля сопоставлена с теоретическим расчетом, а также с результатами, полученными из анализа магнитосопротивления. Сопоставлены возможности определения концентрации свободных носителей заряда по поглощению ультразвука и по коэффициенту Холла в сильно компенсированных материалах.