Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs

Представлены результаты исследования GaAs-лазера с волноводными квантовыми ямами InGaAs, работающего при комнатной температуре в режиме электрической накачки. Минимальный порог генерации составил 15 А. Получена устойчивая лазерная генерация на длине волны 1010 нм, при этом ширина диаграммы направленности излучения в плоскости, перпендикулярной слоям структуры, составила (10 $\pm$ 2)$^\circ$.