RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1459–1466 (Mi phts5349)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te

Е. П. Скипетровab, Б. Б. Ковалевa, Л. А. Скипетроваa, А. В. Кнотькоb, В. Е. Слынькоc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
c Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы фазовый и элементный состав, температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла (диапазон температур 4.2 $\le T\le$ 300 K, магнитные поля B $\le$ 0.07 Тл) в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te при вариации состава матрицы и концентрации примеси железа вдоль монокристаллических слитков, синтезированных методом Бриджмена–Стокбаргера. Получены распределения олова и железа вдоль слитков, и обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, связанные с пиннингом уровня Ферми резонансным уровнем железа, расположенным в валентной зоне сплавов. Анализ полученных экспериментальных результатов проведен в рамках модели перестройки электронной структуры, предполагающей движение уровня железа относительно потолка валентной зоны при увеличении концентрации олова и температуры. Определен термический коэффициент движения уровня железа относительно середины запрещенной зоны, и предложены возможные диаграммы перестройки электронной структуры с ростом температуры в сплавах с нормальным спектром (0.06 $\le x\le$ 0.35).

Ключевые слова: сплавы Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, резонансный уровень железа.

Поступила в редакцию: 15.04.2019
Исправленный вариант: 22.04.2019
Принята в печать: 22.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48440.9141


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1419–1426

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024