RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1467–1470 (Mi phts5350)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий

С. Г. Черковаa, В. А. Скуратовbcd, В. А. Володинae

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
c Государственный университет "Дубна", г. Дубна, Московская обл.
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
e Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследованы оптические свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий. В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий от X, W, W', R и C линий, проявляется широкий пик в области 1.3–1.5 мкм. При этом с увеличением дозы облучения в диапазоне 3$\cdot$10$^{11}$–10$^{13}$ см$^{-2}$ наблюдается спад и сужение пика ФЛ с одновременным смещением максимума в длинноволновую область.

Ключевые слова: фотолюминесценция, дефекты в кремнии, быстрые тяжелые ионы.

Поступила в редакцию: 16.04.2019
Исправленный вариант: 15.05.2019
Принята в печать: 17.06.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48441.9142


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1427–1430

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024