Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда

Во время мощной пикосекундной оптической накачки тонкого ($\sim$1 мкм) слоя GaAs в нем возникает интенсивное (до 1 ГВт/см$^{2}$) стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что при фиксированной плотности энергии импульса накачки с увеличением его диаметра растет характерное пикосекундное время релаксации излучения и плотности носителей $\tau_{r}$. Вследствие взаимосвязи плотности и температуры носителей при высокоинтенсивном излучении (в состоянии насыщения усиления излучения) $\tau_{r}$ связано с характерным временем релаксации температуры фотонакачанных носителей $\tau_{T}$, определенным ранее теоретически с учетом разогрева носителей излучением. Следующее из этого аналитическое выражение для $\tau_{r}$ как функции $\tau_{T}$ согласуется с вышеуказанными экспериментальными результатами.