RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1485–1496 (Mi phts5353)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния

Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлен теоретический анализ механизма генерации синглетного кислорода на поверхности фотовозбужденного нанопористого кремния. Показано, что в основе механизма генерации синглетного кислорода лежит безызлучательный перенос энергии от нанопористого кремния к молекуле кислорода по обменному механизму Декстера. Получено аналитическое выражение, и дана численная оценка вероятности переноса энергии от нанопористого кремния к молекуле кислорода. Показано, что ее численное значение $\sim$(10$^{3}$–10$^{4}$) с$^{-1}$ достаточно хорошо согласуется с экспериментом.

Ключевые слова: нанопористый кремний, синглетный кислород, перенос энергии.

Поступила в редакцию: 03.10.2018
Исправленный вариант: 18.02.2019
Принята в печать: 03.06.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48462.8991


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1445–1456

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024