RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1497–1504 (Mi phts5354)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние ионно-лучевой обработки в процессе ВЧ магнетронного распыления на свойства плeнок ZnO

П. Н. Крылов, С. С. Алалыкин, Е. А. Дурман, Р. М. Закирова, И. В. Федотова

Удмуртский государственный университет, г. Ижевск

Аннотация: Рассмотрено влияние ионно-лучевой обработки, чередующейся с процессом магнетронного напыления, на свойства тонких пленок оксида цинка. Ионно-лучевая обработка вызывает уменьшение скорости роста, размеров областей когерентного рассеяния и удельного сопротивления. Стехиометрический индекс, ширина запрещенной зоны и показатель преломления увеличиваются. Прозрачность пленок в области слабого поглощения не меняется.

Ключевые слова: ионно-лучевая обработка, оксид цинка, магнетронное распыление.

Поступила в редакцию: 21.03.2019
Исправленный вариант: 07.06.2019
Принята в печать: 17.06.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48444.9110


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1457–1464

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024