Аннотация:
Рассмотрено влияние ионно-лучевой обработки, чередующейся с процессом магнетронного напыления, на свойства тонких пленок оксида цинка. Ионно-лучевая обработка вызывает уменьшение скорости роста, размеров областей когерентного рассеяния и удельного сопротивления. Стехиометрический индекс, ширина запрещенной зоны и показатель преломления увеличиваются. Прозрачность пленок в области слабого поглощения не меняется.