RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1512–1518 (Mi phts5356)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Г. С. Гагисa, Р. В. Левинa, А. Е. Маричевa, Б. В. Пушныйa, М. П. Щегловa, Б. Я. Берa, Д. Ю. Казанцевa, Ю. А. Кудрявцевb, А. С. Власовa, Т. Б. Поповаa, Д. В. Чистяковc, В. И. Кучинскийad, В. И. Васильевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Cinvestav-IPN, Cinvestav-IPN, Mexico
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследованы гетероструктуры GaInPAs/InP, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре 600$^\circ$C и давлении 0.1 бар. Толщины выращенных слоев GaInAsP составляли $\sim$1 мкм. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии для твердых растворов Ga$_{1-x}$In$_{x}$P$_{1-y}$As$_{y}$ со средними составами $x$ = 0.77–0.87, $y$ = 0.07–0.42 выявлено изменение содержания атомов V группы y по толщине эпитаксиального слоя на величину $\Delta y$ вплоть до 0.1 атомных долей в подрешетке элементов V группы. В большинстве случаев изменение y происходит в слое GaInAsP на протяжении до 200 нм от гетерограницы с InP. В отдельных случаях y изменяется на протяжении всего эпитаксиального слоя GaInPAs. Для эпитаксиальных слоев с удовлетворительным кристаллическим совершенством, величина $\Delta y$ была меньшей в случае лучшего согласования эпитаксиального слоя GaInPAs с подложкой. Для слоев GaInPAs, сильно рассогласованных с подложкой и характеризующихся низким кристаллическим совершенством, величина $\Delta y$ была близка к нулю. Все эти факты позволяют предположить, что на встраивание атомов V группы в формирующуюся кристаллическую решетку влияют упругие деформации, возникающие в формирующемся монослое, рассогласованном с ростовой поверхностью.

Ключевые слова: газофазная эпитаксия, твердые растворы, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи.

Поступила в редакцию: 17.06.2019
Исправленный вариант: 25.06.2019
Принята в печать: 25.06.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48446.9191


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1472–1478

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024