Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности

Методом время-коррелированного счета одиночных фотонов исследована фотолюминесценция с временным разрешением квантово-размерных гетероструктур InGaAs различной размерности, выращенных на подложках GaAs: квантовые точки, квантовые ямы и структуры переходной размерности – квантовые яма-точки. Обнаружено, что время спада фотолюминесценции образцов при комнатной температуре существенно зависит от их квантовой размерности: 6, 7 и более 20 нс для квантовых точек, яма-точек и ямы соответственно. Мы полагаем, что наличие центров локализации носителей заряда может приводить к наблюдаемому сокращению времени фотолюминесценции в гетероструктурах.