Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11,страницы 1579

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении

Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Ионно-лучевое травление гетероструктур AlGaAs/GaAs приводит к возникновению радиационных дефектов и, как следствие, гашению люминесценции. Отжиг при 620$^\circ$C в атмосфере As позволяет достичь практически полного восстановления квантовой эффективности люминесценции для случая радиационных дефектов, залегающих на расстоянии вплоть до 150 нм от гетерограницы.

Ключевые слова: сфокусированный ионный пучок, прямая ионная литография, нанолитография, радиационные дефекты, отжиг, микрофотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 22.04.2019
Исправленный вариант: 11.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48459.9146