Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 1,страницы 140–144(Mi phts537)
Об энергетических уровнях дивакансии в кремнии
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, А. Д. Ременюк, М. Г. Толстобров
Аннотация:
Исследовались радиационные дефекты в $n$-базе
кремниевых диодов, облученных $\gamma$-квантами или реакторными нейтронами.
Для измерения параметров и концентрации радиационных дефектов использовался
метод изотермической релаксации емкости. В кремнии, облученном $\gamma$-квантами, дивакансии соответствует уровень
${E_{c}-0.49}$ эВ. В кремнии, облученном нейтронами, образуется сложный
радиационный дефект, состоящий, по-видимому, из расположенных
в разупорядоченной области дивакансийи, часть которых
взаимодействует между собой.