RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 140–144 (Mi phts537)

Об энергетических уровнях дивакансии в кремнии

Л. С. Берман, В. Б. Воронков, А. Д. Ременюк, М. Г. Толстобров


Аннотация: Исследовались радиационные дефекты в $n$-базе кремниевых диодов, облученных $\gamma$-квантами или реакторными нейтронами. Для измерения параметров и концентрации радиационных дефектов использовался метод изотермической релаксации емкости.
В кремнии, облученном $\gamma$-квантами, дивакансии соответствует уровень ${E_{c}-0.49}$ эВ. В кремнии, облученном нейтронами, образуется сложный радиационный дефект, состоящий, по-видимому, из расположенных в разупорядоченной области дивакансийи, часть которых взаимодействует между собой.



© МИАН, 2024