RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1321–1328 (Mi phts5373)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Асимметричная генерация в сверхизлучающем лазере с симметричным низкодобротным резонатором

Вл. В. Кочаровскийa, В. А. Кукушкинa, С. В. Тарасовa, Е. Р. Кочаровскаяa, В. В. Кочаровскийab

a Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
b Техасский А&М университет, 77843 Колледж Стейшен, США

Аннотация: На основе численного решения уравнений Максвелла–Блоха для одномерной двухуровневой модели сверхизлучающего лазера с симметричным резонатором, в котором время жизни фотонов меньше времени некогерентной релаксации оптических дипольных колебаний активных центров, выявлена возможность самопроизвольного установления несимметричной генерации встречных волн при непрерывной однородной накачке активной среды. Показано, что обнаруженное явление нарушения симметрии пространственных профилей встречных волн электромагнитного поля, а также поляризации и инверсии населенностей уровней активной среды в рассматриваемом случае небольшого неоднородного уширения спектральной линии ее рабочего перехода происходит благодаря создаваемой этими волнами асимметричной полуволновой нелинейной решетки инверсии населенностей энергетических уровней.

Ключевые слова: сверхизлучающий полупроводниковый лазер, асимметричная генерация.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48284.30


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1287–1294

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024