Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек

Представлены результаты исследования оптических характеристик неклассических источников света на основе селективно-позиционированных микролинзовых структур и одиночных (111) In(Ga)As-квантовых точек, выращенных на подложке (111)B GaAs. Однофотонный характер излучения подтвержден измерением и анализом корреляционной функции второго порядка $g^{(2)}(\tau)$; $g^{(2)}(0)$ = 0.07. Исследована тонкая структура экситонных состояний (111) In(Ga)As-квантовых точек. Показано, что в интервале энергий 1.320–1.345 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.