RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1343–1348 (Mi phts5376)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Динамика когерентности экситон-поляритонной системы в GaAs-микрорезонаторах при импульсном резонансном фотовозбуждении

В. Д. Кулаковскийab, А. А. Деменевa

a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва

Аннотация: Найдено, что экситон-поляритонные системы в полупроводниковых микрорезонаторах на GaAs, возбуждаемые резонансно когерентными пикосекундными лазерными импульсами, наследуют высокую когерентность лазерного луча и сохраняют ее в течение времени жизни ( $>$ 100 пс), при этом время формирования когерентности в системах, возбуждаемых резонансно некогерентными импульсами без возбуждения экситонного резервуара, превышает 200 пс.

Ключевые слова: экситонные поляритоны, бозе-конденсат, пространственная когерентность.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48287.33


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1308–1313

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024