RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1349–1353 (Mi phts5377)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Взаимодействие таммовского плазмона и экситона в органическом материале в режиме сильной связи

К. М. Морозовa, А. В. Белоновскийa, К. А. Ивановb, Е. И. Гиршоваac, М. А. Калитеевскийabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено теоретическое исследование взаимодействия таммовского плазмона с экситоном в органическом материале в режиме сильной связи. Структура представляла собой брэгговский отражатель из 5 пар слоев оксида кремния и оксида тантала, органического светоизлучающего слоя материала 4'-Bis($N$-carbazolyl)-1,1'-biphenyl и слоя серебра. Показано, что в такой структуре имеет место расщепление поляритонных мод (расщепление Раби) величиной $>$ 400 мэВ, что может сопровождаться увеличением ширины полосы люминесценции до 700 мэВ.

Ключевые слова: таммовский плазмон, органический светодиод, экситон, режим сильной связи.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48288.34


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1314–1317

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024