RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1419–1423 (Mi phts5389)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита

В. Г. Заводинскийa, А. П. Кузьменкоb

a Институт материаловедения Дальневосточного отделения Российской академии наук, Хабаровск, Россия
b Юго-Западный государственный университет, г. Курск

Аннотация: Методом теории функционала плотности с применением псевдопотенциалов исследована электронная структура наносистем на основе сульфида кадмия в фазе сфалерита (цинковой обманки – $zb$-CdS). Показано, что использованный подход позволяет адекватно описывать электронные состояния данного материала. Обнаружено, что поверхность (100)-$zb$-CdS характеризуется металлоподобной плотностью электронных состояний, в то время как поверхности (110)-$zb$-CdS соответствует запрещенная зона на уровне Ферми, и нанопленки с данной ориентацией могут быть использованы как материал для полупроводниковых приборов. Эпитаксиальные слоистые наносистемы (110)-$zb$-CdS–Si также проявляют полупроводниковые свойства.

Ключевые слова: CdS, ab initio моделирование, запрещенная зона, электронная структура, наносистемы.

Поступила в редакцию: 04.03.2019
Исправленный вариант: 16.04.2019
Принята в печать: 18.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48300.9092


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1381–1385

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024