RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1427–1430 (Mi phts5391)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP

В. А. Шутаевa, В. Г. Сидоровb, Е. А. Гребенщиковаa, Л. К. Власовa, А. А. Пивовароваa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "АИБИ", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние водорода на электрические свойства структур Pd/$n$-InP и Pd/оксид/$n$-InP. Установлено, что изменение напряжения отсечки $\Delta U_{\operatorname{cut-off}}$ на вольт-амперных характеристиках исследуемых структур при воздействии водородом в диапазоне концентраций 0–1 об% в азотно-водородной смеси подчиняется экспоненциальной зависимости: $\Delta U_{\operatorname{cut-off}}=a[1-\operatorname{exp}[-b\cdot N_{\mathrm{H}}$], где $N_{\mathrm{H}}$ – концентрация водорода в об%, $a$ и $b$ – коэффициенты, определяемые типом структур. Показано, что решающее влияние на изменение высоты потенциальных барьеров в структурах Pd/InP и Pd/оксид/InP в присутствии водорода в газовой среде оказывает изменение работы выхода палладия в атмосфере водорода. Установлено, что в исследуемых структурах в присутствии водорода и без него при температурах 90–300 K реализуются туннельный и термотуннельный механизмы проводимости. С увеличением концентрации водорода в газовой смеси преобладание туннельного механизма проводимости становится все более существенным.

Ключевые слова: палладий, InP, водород, работа выхода, механизм проводимости.

Поступила в редакцию: 06.05.2019
Исправленный вариант: 13.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48302.9152


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1389–1392

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024