Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота

Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней гетероструктуры Au–$n$-Si : Au–Si–$p$-Si на основе композитного слоя наночастиц Au и Si. При температуре 300 K структура проявляет свойства транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером при отключенной базе и с эмиттерным барьером Шоттки между точечным контактом Au и слоем $n$–(Si : Au). В этом слое наночастицы образуют конечные кластеры, где проводимость будет прыжковой, при этом в области точечного контакта Au наблюдается аккумуляция заряда. При температуре измерения ниже 180 K в результате эффекта перколяции система из фазы конечного кластера переходит в фазу бесконечного кластера, проявляющего металлические свойства в латеральной плоскости гетероструктуры, которая превращается в $p$–$n$-диод.