Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1167

Эта публикация цитируется в 7 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках

Д. С. Абрамкин^ab, М. О. Петрушков^a, М. А. Путято^a, Б. Р. Семягин^a, Е. А. Емельянов^a, В. В. Преображенский^a, А. К. Гутаковский^ab, Т. С. Шамирзаев^abc

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены гибридные GaP/Si-подложки, позволяющие выращивать высокоэффективные светоизлучающие гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами. Несмотря на относительно высокую концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaP/Si, гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на гибридных GaP/Si подложках, не уступают в эффективности и температурной стабильности люминесценции аналогичным гетероструктурам, выращенным на согласованных GaP-подложках.

Ключевые слова: гибридные подложки, фотолюминесценция, GaP на Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48118.01