RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1178–1181 (Mi phts5398)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

В. В. Уточкинa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В гетероструктуре c квантовыми ямами Hg$_{0.903}$Cd$_{0.097}$Te/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te, помещенной в диэлектрический волноводный слой из широкозонного CdHgTe, получено стимулированное излучение на длинах волн 14–11 мкм при температурах 18–80 K. Рассчитана пороговая энергия оже-рекомбинации для серии гетероструктур с квантовыми ямами из чистого HgTe с шириной запрещенной зоны 90 мэВ (длина волны 14 мкм), продемонстрирована возможность создания лазеров c длиной волны 14 мкм с рабочими температурами выше температуры жидкого азота.

Ключевые слова: пороговая энергия, оже-рекомбинация, HgCdTe.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48120.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1154–1157

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024