Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов

Выполнен теоретический анализ механизмов подавления электронно-дырочного обменного взаимодействия в неизлучающих экситонах с большим волновым вектором в высококачественных гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что основным механизмом подавления является рассеяние экситонов с взаимным переворотом спинов носителей одного знака (либо двух электронов, либо двух дырок), входящих в экситоны. В результате этого спиновая поляризация электронов в неизлучающих экситонах может сохраняться длительное время. Анализ экспериментальных результатов показывает, что это время может быть больше одной наносекунды. Столь длительная и оптически контролируемая спиновая память в экситонном резервуаре может представлять интерес для будущих информационных технологий.