Сверхтонкое взаимодействие и рекомбинация Шокли–Рида–Холла в полупроводниках

Дается обзор экспериментальных и теоретических исследований оптической ориентации и спин-зависимой рекомбинации в полупроводнике в магнитном поле при нормальном падении на поверхность образца циркулярно поляризованного излучения. Эксперименты выполнены на твердых растворах GaAs$_{1-x}$N$_{x}$, в которых глубокими парамагнитными центрами, ответственными за спин-зависимую рекомбинацию, являются межузельные дефекты смещения Ga$^{2+}$. Установлено, что в исследованных материалах сверхтонкое взаимодействие локализованного электрона с (одним) ядром парамагнитного центра остается сильным даже при комнатной температуре. Проводится сравнение теории с экспериментом, выполненным как при стационарном режиме возбуждения, так и в условиях двухимпульсного метода “накачка-зондирование”. Выведена аналитическая формула для спиновых биений в магнитном поле.