А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1207

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон

А. Э. Климов^ab, А. Н. Акимов^a, И. О. Ахундов^a, В. А. Голяшов^ac, Д. В. Горшков^a, Д. В. Ищенко^a, Г. Ю. Сидоров^a, С. П. Супрун^a, А. С. Тарасов^a, В. С. Эпов^a, О. Е. Терещенко^ac

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет
^c Новосибирский государственный университет

Аннотация: При гелиевых температурах изучены особенности переходных процессов в эффекте поля в пленках PbSnTe : In с изменением тока до 10$^{5}$ раз, качественно соответствующие модели, в которой на поверхности PbSnTe : In имеется большая концентрация ловушек с различными параметрами. Роль поверхности подтверждается сильным изменением экспериментальных характеристик после химического удаления с поверхности PbSnTe : In собственных оксидов и ее пассивации слоем Al$_{2}$O$_{3}$.

Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, поверхностная проводимость, МДП-структура.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48125.08