Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, А. П. Васильев, “Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1218

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs

Е. С. Оболенская^a, А. С. Иванов^a, Д. Г. Павельев^a, В. А. Козлов^ab, А. П. Васильев^cd

^a Национальный исследовательский университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено сравнение особенностей транспорта электронов в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных подобных сверхрешеток GaAs/AlAs, при этом количество периодов и площадь диодов были различными. Сопоставлены значения паразитных сопротивлений приконтактных областей диодов, и определена величина удельного падения напряжения на одном периоде сверхрешетки для всех особых точек на вольт-амперных характеристиках диодов. Исследован механизм возникновения стабильных колебаний тока в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs с высоким уровнем легирования.

Ключевые слова: сверхрешетки, транспорт электронов, диоды, ТГЦ генерация.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48127.10