RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1229–1232 (Mi phts5407)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок (DLC-пленок) на монокристаллический сильно легированный бором (концентрация $\sim$10$^{20}$ см$^{-3}$) алмаз $p$-типа проводимости в плазме CH$_{4}$ + Ar. Скорость осаждения составила 7 нм/мин. Детально исследованы элементный состав и свойства полученных пленок. Пленки оказались обогащенными водородом, имели плотность 2.4 г/см$^{3}$ и ультрагладкую поверхность (шероховатость 0.4 $\pm$ 0.2 нм).

Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48129.12


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1203–1206

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024