С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1233

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур

С. М. Планкина^a, О. В. Вихрова^b, Б. Н. Звонков^b, С. Ю. Зубков^a, Р. Н. Крюков^a, А. В. Нежданов^a, Д. А. Павлов^a, И. Ю. Пашенькин^c, А. А. Сушков^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследования фотодиодных структур GaInAs/GaInP/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Разработана методика диагностики таких многослойных структур, основанная на комплексном применении спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии фотолюминесценции в режиме латерального сканирования поперечных сколов, и определены составы твердых растворов GaInAs и GaInP.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, гетероструктуры, метаморфный слой, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48130.13