RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1237–1243 (Mi phts5409)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Усиление терагерцового излучения высокодобротными резонансными плазмонами в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод

О. В. Полищукa, Д. В. Фатеевab, В. В. Поповa

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Теоретически исследован спектр усиления терагерцового излучения в двухслойном структурированном активном графене, представляющем собой два одинаковых периодических массива графеновых микрополосок, разделенных тонким диэлектрическим барьерным слоем. Рассматриваемая система поддерживает оптические и акустические плазмонные моды. Резонансные частоты оптической и акустической мод меняются противоположным образом с изменением толщины изолирующего диэлектрического слоя, что делает возможным режим антикроссинга плазмонных мод. Показано, что исследуемая графеновая структура характеризуется сильным плазмонным откликом и гигантским усилением терагерцового излучения на частотах плазменного резонанса в окрестности режима антикроссинга между оптическими и акустическими плазмонными модами при комнатной температуре.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, плазмон, графен, антикроссинг плазмонных мод.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48131.14


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1211–1216

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024