RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1263–1266 (Mi phts5413)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

В. Н. Шастинa, Р. Х. Жукавинa, К. А. Ковалевскийa, В. В. Цыпленковa, В. В. Румянцевa, Д. В. Шенгуровa, С. Г. Павловb, В. Б. Шуманc, Л. М. Порцельc, А. Н. Лодыгинc, Ю. А. Астровc, Н. В. Абросимовd, J. M. Klopfe, H.-W. Hübersbf

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin, Germany
e Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, German
f Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany

Аннотация: Представлены результаты экспериментов по обнаружению отщепленных состояний $1s$, что позволяет определить химический сдвиг и энергию обменного взаимодействия нейтрального донора магния в кремнии. Положение парасостояний $1s(E)$, $1s(T_{2})$, а также $2s(A_{1})$ определяет возможность получения инверсии населенности и конкретный механизм вынужденного комбинационного рассеяния света. Энергия парасостояния $1s(T_{2})$ определялась по положению резонансов Фано в спектре фотопроводимости Si:Mg при $T$ = 4 K, а энергии ортосостояний $1s(T_{2})$, $1s(E)$ – из спектров пропускания при повышенных температурах. На основе полученных экспериментальных данных сделаны оценки скоростей релаксации и проведен анализ возможных механизмов стимулированного излучения.

Ключевые слова: нейтральный двойной донор, магний, спектроскопия, резонанс Фано, фотопроводимость, инверсия населенностей, вынужденное комбинационное рассеяние света.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48135.18


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1234–1237

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024