Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки

Методом разложения GeH$_{4}$ на горячей проволоке при низкой температуре подложки ($\sim$325$^\circ$C) получены эпитаксиальные структуры $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), на основе которых сформированы лабораторные макеты туннельных диодов, допускающих монолитную интеграцию в интегральные схемы на основе Si. Легирование слоeв $n^{+}$-Ge донорной примесью (P) до концентраций $>$ 1 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ осуществлялось с применением термического разложения GaP. На вольт-амперных характеристиках туннельных диодов наблюдались выраженные участки отрицательного дифференциального сопротивления.