Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$

Сформирована и исследована GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/Ge-гетероструктура, выращенная на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$(1$\bar1$02). Буферный слой Ge получен методом “горячей проволоки”, а A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ слои с помощью газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Для определения оптического качества A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ слоев использована спектроскопия фотолюминесценции. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Элементный состав определен методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. В данной работе была показана возможность роста монокристаллического слоя GaAs на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$ через AlAs/GaAs/AlAs/Ge-буферные слои.