Физика и техника полупроводников,
2019 , том 53, выпуск 9, страницы 1289–1292
(Mi phts5419)
Эта публикация цитируется в
10 статьях
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г. Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью А. И. Хребтов a ,
Р. Р. Резник b ,
Е. В. Убыйвовк c ,
А. П. Литвин b ,
И. Д. Скурлов b ,
П. С. Парфёнов b ,
А. С. Кулагина ab ,
В. В. Данилов d ,
Г. Э. Цырлин abef a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики c Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета d Петербургский государственный университет путей сообщения e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация:
Впервые представлена композитная наноструктура на основе квазиодномерных нитевидных нанокристаллов InP с нановставкой InAsP, выращенных на подложке Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и нульмерных коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS. Экспериментально подтверждено наличие безызлучательного переноса энергии между составляющими гибридной наноструктуры, а именно между коллоидными квантовыми точками и нановставкой.
Ключевые слова:
молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, коллоидные квантовые точки, безызлучательный перенос энергии. Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
DOI:
10.21883/FTP.2019.09.48141.25
© , 2024
Полный текст:
PDF файл (368 kB)
