Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости

Исследованы спектры фотолюминесценции эпитаксиальных структур $n^+$-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки и легированных фосфором из источника на базе термически разлагаемого GaP до максимальной концентрации электронов 1 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Изучено влияние на спектры фотолюминесценции уровня легирования слоев $n^+$-Ge : P, а также быстрого термического отжига. Продемонстрирована перспективность использования эпитаксиальных слоев $n^+$-Ge : P/Si(001), выращенных методом горячей проволоки, в качестве активных областей светоизлучающих оптоэлектронных приборов ближнего инфракрасного диапазона.