Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1297

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

Т. А. Уаман Светикова^a, А. В. Иконников^a, В. В. Румянцев^b, Д. В. Козлов^b, В. И. Черничкин^a, А. В. Галеева^a, В. С. Варавин^c, Н. Н. Михайлов^c, С. А. Дворецкий^c, С. В. Морозов^b, В. И. Гавриленко^b

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В эпитаксиальных пленках CdHgTe исследованы спектры фотопроводимости при различных температурах методом фурье-спектроскопии. В спектрах обнаружены особенности, связанные как с межзонным поглощением, там и с ионизацией примесно-дефектных состояний. Прослежена их эволюция с изменением температуры. Определены температуры “исчезновения” примесных особенностей, что позволило, используя уравнение электронейтральности, оценить концентрацию акцепторов в исследуемых структурах.

Ключевые слова: фотопроводимость, примесь, CdHgTe, фурье-спектроскопия.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48143.27