А. В. Иконников, В. И. Черничкин, В. С. Дудин, Д. А. Акопян, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9,страницы 1303

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры

А. В. Иконников^a, В. И. Черничкин^a, В. С. Дудин^a, Д. А. Акопян^a, А. Н. Акимов^b, А. Э. Климов^bc, О. Е. Терещенко^bd, Л. И. Рябова^a, Д. Р. Хохлов^ae

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^c Новосибирский государственный технический университет
^d Новосибирский государственный университет
^e Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Спектры фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) исследованы методом фурье-спектроскопии в области дальнего инфракрасного диапазона при температурах от 4.2 до 32.4 K. Наряду с межзонными переходами в спектрах обнаружены субщелевые особенности, связанные с возбуждением примесно-дефектных состояний. Прослежена эволюция спектров при изменении температуры и в условиях дополнительной подсветки.

Ключевые слова: фотопроводимость, примесные состояния, поверхностные состояния, PbSnTe, эффект Бурштейна–Мосса.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48144.28