RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1043–1046 (Mi phts5426)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута

В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, В. М. Стожаров

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования спектров оптического поглощения в монокристаллах силиката висмута Bi$_{12}$SiO$_{20}$. Определены ширина запрещенной зоны и характеристическая энергия Урбаха. Установлено влияние предварительного рентгеновского облучения на поведение экспериментальных спектральных зависимостей и значения характеристических параметров, обусловленное дефектной структурой силиката висмута.

Ключевые слова: силикат висмута, силленит, спектральная зависимость, оптическое поглощение, рентгеновское излучение.

Поступила в редакцию: 26.03.2019
Исправленный вариант: 05.04.2019
Принята в печать: 08.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.47992.9115


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1024–1027

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024