RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1052–1057 (Mi phts5428)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В настоящей работе изучалось влияние слоя SiO$_{2}$, нанесенного на наноструктурированные прозрачные проводящие пленки оксида индия и олова (ITO), на их оптические характеристики. Для этого на образцы с пленками ITO, содержащими нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающими монотонно убывающим эффективным показателем преломления, наносили слои SiO$_{2}$ различной толщины методом магнетронного распыления. Показано, что при условии равномерного заращивания нитей ITO слоем SiO$_{2}$ становится возможным достичь заметного просветления покрытия. Исследовалось также влияние слоя SiO$_{2}$ на оптические характеристики плотной, неструктурированной пленки ITO. Проведено сравнение полученных результатов для структурированного и неструктурированного покрытия ITO/SiO$_{2}$ с одинаковым массовым содержанием материала. Отмечено, что вследствие склонности материала ITO к деградации в процессе эксплуатации в составе прозрачных проводящих контактов результаты работы могут быть интересны также для создания более стойких к воздействию внешней среды покрытий.

Ключевые слова: прозрачные проводящие оксиды, оптоэлектронные приборы, просветвляющие покрытия, оксид индия и олова, диоксид кремния.

Поступила в редакцию: 10.04.2019
Исправленный вариант: 15.04.2019
Принята в печать: 15.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.47994.9135


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1033–1037

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024