Эта публикация цитируется в
1 статье
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$
Л. К. Марков,
А. С. Павлюченко,
И. П. Смирнова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
В настоящей работе изучалось влияние слоя SiO
$_{2}$, нанесенного на наноструктурированные прозрачные проводящие пленки оксида индия и олова (ITO), на их оптические характеристики. Для этого на образцы с пленками ITO, содержащими нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающими монотонно убывающим эффективным показателем преломления, наносили слои SiO
$_{2}$ различной толщины методом магнетронного распыления. Показано, что при условии равномерного заращивания нитей ITO слоем SiO
$_{2}$ становится возможным достичь заметного просветления покрытия. Исследовалось также влияние слоя SiO
$_{2}$ на оптические характеристики плотной, неструктурированной пленки ITO. Проведено сравнение полученных результатов для структурированного и неструктурированного покрытия ITO/SiO
$_{2}$ с одинаковым массовым содержанием материала. Отмечено, что вследствие склонности материала ITO к деградации в процессе эксплуатации в составе прозрачных проводящих контактов результаты работы могут быть интересны также для создания более стойких к воздействию внешней среды покрытий.
Ключевые слова:
прозрачные проводящие оксиды, оптоэлектронные приборы, просветвляющие покрытия, оксид индия и олова, диоксид кремния.
Поступила в редакцию: 10.04.2019
Исправленный вариант: 15.04.2019
Принята в печать: 15.04.2019
DOI:
10.21883/FTP.2019.08.47994.9135