Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен

Исследовались туннелирование и магнитотуннелирование в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах графен/$h$-BN/графен, обнаружившие два новых типа систем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьере $h$-BN, а также происходит генерация тока, обусловленная их наличием.