Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Синтезированы и исследованы квантовые точки группы широкозонных и узкозонных полупроводников в одинаковых условиях, что позволило провести сравнительный анализ и моделирование механизмов излучательной рекомбинации и люминесценции, для которых является важной роль стабильной экситонной связи электрона и дырки. Для квантовых точек без оболочки и узкозонных полупроводников экситонные состояния не стабильны, что приводит к существенному уменьшению вероятности излучательной рекомбинации и соответственно квантового выхода люминесценции. Экспериментальные значения спектрального положения максимума люминесценции для квантовых точек с отчетливым проявлением экситонного механизма рекомбинации заметно сдвигаются в длинноволновую сторону от расчетных. В расчетах и анализе используются значения эффективной массы электрона для объемного материала полупроводников. Полученное при этом хорошее соответствие расчетных значений максимума и полосы спектра с экспериментом может означать, что квантовые точки имеют кристаллическую структуру дальнего порядка, подобную наблюдающейся в моно- и поликристаллах.