М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8,страницы 1110

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP

М. Л. Лунина^a, Л. С. Лунин^ab, Д. Л. Алфимова^a, А. С. Пащенко^a, Э. М. Данилина^a, В. В. Нефедов^b

^a Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, Ростов-на-Дону, Россия
^b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия

Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания упругонапряженных тонких эпитаксиальных слоев AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$ на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP.

Ключевые слова: гетероструктуры, градиент температуры, толщина жидкой зоны, период решетки, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации, внешний квантовый выход.

Поступила в редакцию: 12.02.2019
Исправленный вариант: 07.03.2019
Принята в печать: 11.03.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48003.9082