RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1115–1121 (Mi phts5438)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Релаксационные, термические и межфазные эффекты в композитах полимер-сегнетопьезокерамика различной структуры

М. А. Курбановa, И. С. Рамазановаa, З. А. Дадашовa, Ф. И. Мамедовb, Г. Х. Гусейноваa, У. В. Юсифоваa, Ф. Н. Татардарac, И. А. Фараджзадеd

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Академия при Министерстве чрезвычайных ситуаций, Баку, Азербайджан
c Университет Хазар, Az-1096 Баку, Азербайджан
d Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучены релаксационные, термические процессы и межфазные явления в композитах на основе сегнетоэлектриков и полимерной матрицы. Показано, что величина заряда, стабилизированного на границе раздела фаз композита при его электротермополяризации, в основном определяется структурой полимерной матрицы и пьезоэлектрической фазы. Полученные результаты позволили выявить основные причины, влияющие на пьезоэлектрические свойства гетерогенной системы полимер-сегнетокерамика. В качестве органической фазы использовались полиолефины и фторсодержащие полярные полимеры, а в качестве неорганической фазы — сегнетокерамики ромбоэдрической, тетрагональной и смешанной структур. Релаксационные процессы и межфазные явления изучены применением дифференциально сканирующего калориметра, а зарядовое состояние – методом регистрации термостимулированного деполяризационного тока. Стабильность зарядового состояния определялась электретной разностью потенциалов композитов. Изучение молекулярной релаксации осуществлялось диэлектрическим методом. Установлено, что композиты, в которых межфазное взаимодействие проявляет себя сильнее имеют высокие пьезоэлектрические свойства.

Ключевые слова: сегнетоэлектрики, полимерная матрица, эндотермический эффект.

Поступила в редакцию: 08.08.2018
Исправленный вариант: 14.03.2019
Принята в печать: 26.03.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48004.8970


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1092–1098

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024