RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1122–1127 (Mi phts5439)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

А. Е. Жуковab, Э. И. Моисеевa, Н. В. Крыжановскаяab, С. А. Блохинc, М. М. Кулагинаc, Ю. А. Гусеваc, С. А. Минтаировac, Н. А. Калюжныйac, А. М. Можаровa, Ф. И. Зубовa, М. В. Максимовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10–30 мкм, работающие при комнатной температуре без термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности – квантовых ям-точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости от диаметра микролазера. Обнаружено, что $K$-фактор составляет (0.8 $\pm$ 0.2) нс, что соответствует оптическим потерям $\sim$6 см$^{-1}$, и при этом не наблюдается регулярная зависимость от диаметра. Обнаружено, что низкочастотная компонента коэффициента затухания релаксационных колебаний обратно пропорциональна диаметру. Такой характер зависимости свидетельствует об уменьшении времени жизни носителей заряда в микрорезонаторах малого диаметра, что может быть связано с преобладанием в них безызлучательной рекомбинации на боковых стенках.

Ключевые слова: микрорезонатор, микролазер, поверхностная рекомбинация, высокочастотная модуляция.

Поступила в редакцию: 11.03.2019
Исправленный вариант: 18.03.2019
Принята в печать: 18.03.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48005.9098


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1099–1103

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024