RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1135–1139 (Mi phts5441)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)

В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования модуля, предназначенного для приема и преобразования лазерного излучения в системах дистанционной передачи энергии на атмосферных трассах. Четырехэлементный модуль на основе однопереходных метаморфных фотоэлектрических преобразователей InGaAs/GaAs, полученных газофазной эпитаксией из металлoорганических соединений, имеет напряжение холостого хода $\sim$3 В. При преобразовании световой мощности 1.5 Вт/см$^{2}$ монохроматический кпд модуля на длине волны $\lambda$ = 1064 нм составляет 31.5%.

Ключевые слова: лазерное излучение, фотоэлектрический преобразователь, модуль, InGaAs/GaAs, беспроводная передача энергии, гетероструктура.

Поступила в редакцию: 27.03.2019
Исправленный вариант: 04.04.2019
Принята в печать: 04.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48007.9118


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1110–1113

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024