RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страница 1140 (Mi phts5442)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass

S. N. Abolmasova, A. S. Abramovab, A. V. Semenova, I. S. Shahrayc, E. I. Terukovabd, E. V. Malchukovab, I. N. Trapeznikovab

a R&D Center of Thin Film Technologies in Energetics, St. Petersburg, Russia
b Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
c Hevel LLC, Moscow, Russia
d St. Petersburg Electrotechnical University, St. Petersburg, Russia

Аннотация: Attenuated total reflection Fourier transform infrared (ATR FTIR) spectroscopy and effective lifetime measurements have been used to characterize amorphous/crystalline silicon surface passivation in silicon heterojunction solar cells. The comparative studies show a strong link between microstructure factor $R^{*}$ and effective lifetime of amorphous silicon ($a$-Si : H) passivation layers incorporating an interface buffer layer, which prevents the epitaxial growth. It is demonstrated that thin $a$-Si : H films deposited on glass can be used as ATR substrates in this case. The obtained results show that $a$-Si : H films with $R^{*}$ close to 0.1 are required for manufacturing of high-efficiency ($>$ 23%) silicon heterojunction solar cells.

Поступила в редакцию: 01.03.2019
Исправленный вариант: 01.03.2019
Принята в печать: 25.03.2019

Язык публикации: английский

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48008.9113


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1114–1119

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024