Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

Проведен подбор режима роста квантовых точек методом МОС-гидридной эпитаксии для лазерных структур, выращенных на неотклоненных и отклоненных на 2$^\circ$ подложках GaAs и излучающих на длинах волн выше 1.2 мкм при комнатной температуре. В результате экспериментов удалось достичь плотности квантовых точек 4 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$. В лазерных структурах с 7 слоями квантовых точек наблюдалось стимулированное излучение на длине волны 1.06 мкм при температуре жидкого азота. Пороговая плотность мощности оптической накачки составила около 5 кВт/см$^{2}$.