Поверхность, границы раздела, тонкие пленки



[Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования]

N. D. Prasolov^a, A. A. Gutkin^b, P. N. Brunkov<sup>ab

a</sup> St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics
^b Ioffe Institute, St. Petersburg

Аннотация: C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1 $\times$ 2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности.

Поступила в редакцию: 25.03.2019
Исправленный вариант: 18.04.2019
Принята в печать: 25.04.2019

Язык публикации: английский

Реферативные базы данных:

•