RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 890–896 (Mi phts5451)

Электронные свойства полупроводников

О структуре энергетического спектра дырок в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ под иным углом зрения

Л. В. Прокофьева, П. П. Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Двукратное понижение концентрации дырок во всех образцах PbTe$\langle \mathrm{NaTe}\rangle$ при 77–450 K и такой же эффект, достигаемый при 77 K и сильном легировании только за счет введения в PbTe малой добавки олова, дополненные наблюдением в указанном диапазоне температурного гистерезиса в концентрации дырок, послужили основанием для развития иного подхода к изучению энергетического спектра в материалах A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$, альтернативного двузонной модели. В его основе лежит общее для данных материалов явление – компенсация носителей тока как ответ на электроактивное легирование. Появление компенсации связано с начальным (температура ниже 77 K) двухзарядным процессом – участием в одиночном акте легирования PbTe пары электронов благодаря их взаимному притяжению. С повышением температуры, как и с введением примеси, ситуация изменяется, изучение всех аспектов трансформации является задачей дальнейших исследований.

Ключевые слова: примесные состояния, температурный гистерезис, двухзарядный и однозарядный акцепторы.

Поступила в редакцию: 04.02.2019
Исправленный вариант: 12.02.2019
Принята в печать: 12.02.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47863.8953


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:7, 875–881

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024