Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии

Исследовано влияние быстрого термического отжига на электрические и излучательные свойства эпитаксиальных слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы существенно выше уровня ее равновесной растворимости в германии. За счет использования прецизионного химического травления Ge исследованы локальные изменения электрических и излучательных свойств $n$-Ge/Si(001) по толщине структуры. Показано, что при относительно низких ($\le$ 500$^\circ$C) температурах отжига изменение свойств таких слоев (уменьшение концентрации электронов и интенсивности сигнала фотолюминесценции) происходит при отсутствии заметного диффузионного перераспределения атомов примеси. Для относительно высоких ($\ge$ 700$^\circ$C) температур отжига изменения электрических и излучательных свойств слоев Ge : Sb вызваны существенным перераспределением Sb в результате ее объемной диффузии и десорбции с поверхности. В частности, диффузия Sb приводит к формированию легированных слоев в изначально нелегированных частях исследованных структур, которые в результате этого начинают давать существенный вклад в суммарную проводимость структуры и ее сигнал фотолюминесценции.